中美貿(mào)易戰(zhàn)為我國半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘，半導(dǎo)體自主可控不僅僅是口號，更是涉及到國家安全、國計民生的要務(wù)，隨著自主可控呼聲越來越大，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求必將倒逼芯片國產(chǎn)化進程。未來設(shè)備國產(chǎn)化是必然選擇，隨著國家半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，國產(chǎn)設(shè)備市場空間超百億。

晶圓廠投資熱潮帶動半導(dǎo)體設(shè)備增長

隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)景氣度的提升以及晶圓工業(yè)的不斷升級，全球迎來半導(dǎo)體晶圓廠投資熱潮，這也將會帶動上游半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)高增長。據(jù)SEMI報告，2017-2020年，全球?qū)⑿陆?span>62座半導(dǎo)體晶圓廠，中國大陸將占26座，投資12英寸（30mm）晶圓廠將占大比例。以羅方格晶圓廠數(shù)據(jù)為例，晶圓廠80%的投資用于購買，這必將大幅帶動半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)SEMI預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額約559億美元，同比增長35.6%，首次超過2000年的市場高點477億美元。預(yù)計2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場銷售額達601億美元，同比增長7.5%。其中晶圓加工設(shè)備將增加37.5%，達到450億美元。前端部分、封裝設(shè)備部分、半導(dǎo)體測試設(shè)備預(yù)計分別達到26億美元、38億美元、45億美元，同比增長預(yù)計分別為45.8%、25.8%、22%。

SEMI預(yù)測，2018年，韓國、中國大陸、中國臺灣將保持前三，銷售額分別達到169億美元、113億美元、接近113億美元。雖然韓國保持首榜，但中國設(shè)備銷售增長率最高達49.3%。

晶圓制造關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化有待突破

晶圓制造產(chǎn)業(yè)屬于典型的資產(chǎn)和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，羅方格晶圓廠，總投資的80%用于購買設(shè)備，而購買設(shè)備中的80%是晶圓制造設(shè)備。光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備為晶圓制造核心設(shè)備，分別占晶圓制造環(huán)節(jié)的23%、30%、25%。光刻機作為半導(dǎo)體芯片最核心設(shè)備，技術(shù)難度高、價格在2000萬美金以上，高端領(lǐng)域被荷蘭ASML壟斷，市場份額高達80%，最新出的EUV光刻機可用于試產(chǎn)7nm制程，可達3-4億美元。全球晶圓代工廠臺積電、三星、因特爾展開20nm以下制程工藝競賽的今天，而國產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先光刻機僅能用來加工90nm芯片。

薄膜沉積設(shè)備單價在200-300萬美元，一個晶圓廠需要30臺左右。AMAT在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先，而沈陽拓荊、北方華創(chuàng)等國內(nèi)企業(yè)正在突破?？涛g機，單價在200萬美元左右，一個晶圓廠需要40-50臺。國產(chǎn)刻蝕機市場份額已從1%提升至6%。中微半導(dǎo)體16NNnm以實現(xiàn)商業(yè)化，7-10nm已達到世界領(lǐng)先水平。

國家政策和資金扶持持續(xù)加碼

2014年，國家提出建立從晶片到終端產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)劃，強調(diào)集成電路設(shè)備材料端要在2020年之前打入國際采購供應(yīng)鏈，分別從政策和資金加大推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化進程，國家集成電路大基金已經(jīng)進入密集投資期，目前大陸集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總額高達6532億元，規(guī)模有望直逼1萬億元。大基金覆蓋IC設(shè)計、晶圓制造、芯片封測等領(lǐng)域。東吳證券認為，未來大基金和國家產(chǎn)業(yè)政策在設(shè)備方面的投資力度和政策扶持會持續(xù)加碼，設(shè)備國產(chǎn)化是IC國產(chǎn)化的重中之重！

截至2017年9月，大基金累計投資55個項目，涉及40家IC企業(yè)，承諾出資1003億。其中制造、設(shè)計、封測、裝備材料投資占比分別為65%、17%、10%、8%。雖然在裝備和材料環(huán)節(jié)投資規(guī)模力度小，但仍然推進光刻、刻蝕、薄膜沉積等核心裝備。未來將加大圍繞國家戰(zhàn)略的智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等新興產(chǎn)業(yè)進行投資規(guī)劃。東吳證券認為，未來國家資金會持續(xù)不斷的想設(shè)備端傾斜，畢竟只有真正掌握最核心工藝，才能夠?qū)崿F(xiàn)真正意義上的國產(chǎn)化。

半導(dǎo)體設(shè)備壟斷程度高 國產(chǎn)化困難重重

2016年全球半導(dǎo)體專用設(shè)備前十市占率達92%，銷售規(guī)模達379億美元，而中國半導(dǎo)體設(shè)備前十銷售額近7.3億美元，其主要原因是集成電路行業(yè)屬于典型技術(shù)和資本密集型行業(yè)，技術(shù)差距大，我國設(shè)備自制率僅14%，且集中于后道的封測環(huán)節(jié)，未來隨著我國政策和資金持續(xù)扶持加碼，關(guān)鍵設(shè)備有望實現(xiàn)技術(shù)突破。

1996年5月12日于荷蘭瓦圣納簽署《瓦圣納協(xié)議》，協(xié)定包括加入管制敏感性高科技輸往中國等國家，基于該協(xié)議的技術(shù)封鎖導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化困難重重，只能依靠進口國外落后的設(shè)備和自主研發(fā)。

中國大陸晶圓廠支出成大 設(shè)備占率不斷提升

據(jù)SEMI2018年最新數(shù)據(jù)，全球晶圓廠2017年、2018年、2019年設(shè)備支出分別為569億美元、600億美元、651億美元，同比增長分別為38%、9%、5%，2016-2019年CAGR為16%，是自1990年以來首次連續(xù)四年正增長。而中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求2017年、2017年、2019年預(yù)計分別達68.4億美元、100億美元、172億美元，同比增長分別為5.88%、57%、60%。東吳證券預(yù)計，2019年中國大陸設(shè)備支出將成為全球支出最高的地區(qū)。

過去兩年全球興建17座12寸晶圓廠，十座設(shè)在中國大陸，東吳證券認為，從建設(shè)開工到投產(chǎn)產(chǎn)量整個周期需要3-5年，那么2018-2019年是中國大陸晶圓設(shè)備投資潮，全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)前所未有的欣欣向榮局面。

2017年全球晶圓制造設(shè)備銷售額達450億美元，同比增長53.43%，遠超其他設(shè)備，而中國晶圓制造設(shè)備資本支出在2018-2019年將達166.24億美元，占中國半導(dǎo)體資本支出的60%，2015-2019年CAGR達20.55%，但中國設(shè)備在全球市場份額僅為4%，供給和市場份額極不匹配。據(jù)CEPEA統(tǒng)計，2016年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在中國大陸市占率僅11%，IC設(shè)備占全部半導(dǎo)體設(shè)備銷售49%，2018-2020年國產(chǎn)集成電路設(shè)備平均增長率有望超25%，2020年半導(dǎo)體設(shè)備銷市占率有望達20%，IC設(shè)備有望達50億元。

國產(chǎn)晶圓制造設(shè)備 未來三年有望超百億

中國晶圓制造設(shè)備市場需求處于上升階段，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)線性外推估計2015-2020年我國晶圓設(shè)備市場CAGR達32.43%、VLSI Research2017年公布數(shù)據(jù)中晶圓制造各環(huán)節(jié)設(shè)備比例假設(shè)與CEPEA預(yù)測2020年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備市占率達20%假設(shè)這三個數(shù)據(jù)來推算，2018年、2019年、2020年國產(chǎn)晶圓生產(chǎn)設(shè)備市場空間有望達39.9億元、70.82億元、140億元，增速分別為53.55%、77.5%、96.98%，2018-2020年累計市場空間達250億元，CAGR為87%。

根據(jù)國產(chǎn)21挑12寸晶圓廠產(chǎn)線情況，綜合考慮晶圓廠建設(shè)時間先、設(shè)備投資比例，東吳證券測算2018年、2019年、2020年我國國產(chǎn)晶圓制造設(shè)備市場空間達71億元、137億元、180億元。以SEMI口徑設(shè)備端測算2018-2020年的市場空間約250億元，從興建晶圓廠投資端測算2018-2020市場空間約387億元。