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半導(dǎo)體設(shè)備投資價(jià)值分析

作者：編輯：來源：發(fā)布日期： 2018.09.14

信息摘要：

一、IC 雄起，設(shè)備先行

1、半導(dǎo)體設(shè)備種類繁多，半導(dǎo)體應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)鏈中下游

半導(dǎo)體設(shè)備居于產(chǎn)業(yè)鏈上游。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體制造及半導(dǎo)體應(yīng)用構(gòu)成。半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備處于半導(dǎo)體行業(yè)上游，為半導(dǎo)體生產(chǎn)提供原料和工具。半導(dǎo)體制造處于中游，又可細(xì)分為 IC 設(shè)計(jì)、IC 制造、IC 封裝和 IC 測試四個(gè)環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體應(yīng)用為下游需求端，主要涉及消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在中游的晶圓制造以及下游的封裝和測試環(huán)節(jié)。主要分為硅片生產(chǎn)設(shè)備、晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備。

晶圓制造設(shè)備價(jià)值量最大。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，從 2017 年各類半導(dǎo)體設(shè)備銷售額來看，晶圓處理設(shè)備銷售額最多，占比達(dá) 81%，其他前端設(shè)備 /封裝設(shè)備/測試設(shè)備分別占有 5%/7%/8%的比重。而在晶圓處理設(shè)備中，光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備和鍍膜設(shè)備是三種主要設(shè)備，在支出中分別占比20%、15%、15%，其他設(shè)備占另 50%的比重。

2、全球半導(dǎo)體設(shè)備市場：美、日、荷主導(dǎo)，中國不斷追趕

全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)主要由美國、日本、荷蘭主導(dǎo)。根據(jù) SEMI 發(fā)布的數(shù)據(jù)，2016 年全球前十半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商中，有 4 家美國公司、5 家日本公司和 1 家荷蘭公司。美國的應(yīng)用材料以 76.5 億美元設(shè)備收入排名第一，荷蘭的阿斯麥和日本的東京電子分別以 75.21 億美元和 65.53 億美元位列第二、第三。其中，美國的應(yīng)用材料是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商，在沉積設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、快速熱處理設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光等均有涉及；阿斯麥在高端光刻機(jī)領(lǐng)域有著壟斷性優(yōu)勢；東京電子在刻蝕設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、表面處理設(shè)備、晶圓測試設(shè)備、涂膠機(jī) /顯影機(jī)方面也有很強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。

核心半導(dǎo)體設(shè)備市場由國外制造商占領(lǐng)。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng) 2017 年發(fā)布的報(bào)告，光刻機(jī)、PVD 設(shè)備、刻蝕設(shè)備、氧化 /擴(kuò)散設(shè)備市場上前三名廠商市占率高達(dá) 90%以上，其中，ASML 在光刻機(jī)上的市占率達(dá) 75%；AMAT 在 PVD 設(shè)備上的市占率達(dá) 85%；泛林半導(dǎo)體和日立在 CVD 設(shè)備領(lǐng)域排名前三廠商的市占率之和為 70%。

表：核心半導(dǎo)體設(shè)備市場被國外廠商占據(jù)（2017 年）

	光刻機(jī)	PVD 設(shè)備	刻蝕設(shè)備	氧化/擴(kuò)散設(shè)備	CVD 設(shè)備
前 3 名廠商	ASML (75%)	AMAT（85%）	LAM (53%)	Hitachi (43%)	AMAT (30%)
	Nikon	Evatec	TEL	TEL	TEL
	Canon	Uivac	AMAT	ASML	LAM
前 3 名合計(jì)市占率	93%	96%	91%	95%	70%

資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，光大證券研究所整理

部分國產(chǎn) 12 英寸設(shè)備可在生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。目前技術(shù)節(jié)點(diǎn)集中在 65-28nm，部分 12 英寸設(shè)備，包括立式爐、刻蝕機(jī)、沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、退火設(shè)備、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備和清洗設(shè)備等已經(jīng)可以在生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。

二、半導(dǎo)體設(shè)備投資空間廣闊

1、半導(dǎo)體設(shè)備市場上行

半導(dǎo)體設(shè)備市場上行。根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2017 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模達(dá) 566 億美元，同比增長 37%。其中，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模達(dá) 82 億美元，同比增長 27%，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模 15%，位列第三，僅次于韓國和臺(tái)灣地區(qū)。根據(jù) SEMI 預(yù)估，2018 年中國大陸是全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額增幅最大的地區(qū)，增幅估近五成，躍居全球第二。

半導(dǎo)體設(shè)備支出金額有望持續(xù)提升。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2017 年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出達(dá) 570 億美元，同比增長 38%。預(yù)計(jì) 2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出達(dá) 630 億美元，同比增長 11%。全球晶圓廠設(shè)備將在 2019 年連續(xù)第四年增長，增速達(dá) 5%。其中中國晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將于 2019 年超過韓國成為支出最大的地區(qū)。

2、半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算

2018-2019 年，大陸在建晶圓廠+大硅片項(xiàng)目每年釋放 2720 億元半導(dǎo)體設(shè)備投資空間。根據(jù) 2018 年 2 月底公布的《全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告》最新內(nèi)容，中國大陸是 2018、2019 年全球晶圓廠設(shè)備支出成長的主要推手。除晶圓廠帶動(dòng)設(shè)備投資外，國內(nèi)在建大硅片項(xiàng)目也會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備投資增長。按照項(xiàng)目開工約 1-1.5 年后完成廠房封頂、搬入設(shè)備的情況來測算， 2018-2019 年半導(dǎo)體設(shè)備投資金額共 5440 億元；按照兩年平均計(jì)算，每年的半導(dǎo)體設(shè)備投資金額為 2720 億元；我們假設(shè) 2018-2019 年國產(chǎn)化率分別為 30%、40%，則每年國產(chǎn)設(shè)備的投資金額分別為 820 億元、1100 億元。

表：半導(dǎo)體設(shè)備投資金額測算

	2018E	2019E
設(shè)備總投資金額（億元）	2720	2720
國產(chǎn)化率（%）	30	40
國產(chǎn)設(shè)備投資金額（億元）	820	1100

資料來源：光大證券研究所預(yù)測

我們預(yù)計(jì) 2018-2019 年硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)、晶圓加工環(huán)節(jié)以及封裝測試環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體設(shè)備投資空間分別為 320 億元、4320 億元、800 億元；年均對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資空間分別為 160 億元、2160 億元、400 億元。

根據(jù)我們對(duì)大陸地區(qū)大硅片項(xiàng)目的統(tǒng)計(jì)，從 2017 年到 2018 年 5 月，已經(jīng)開工建設(shè)的項(xiàng)目總投資額約 450 億元。我們假設(shè)投資金額中，設(shè)備投資占比 70%；其中單晶爐、磨片倒角設(shè)備、CMP 拋光機(jī)分別占 25%、17%、10%，則三種設(shè)備對(duì)應(yīng)的年均投資空間分別為 40 億元、28 億元、17 億元。

根據(jù)集邦咨詢的統(tǒng)計(jì)資料顯示，自 2016 年至 2017 年底，大陸新建及規(guī)劃中的 8 英寸和 12 英寸晶圓廠共計(jì) 28 座，其中 12 英寸晶圓廠有 20 座，8 英寸晶圓廠有 8 座。根據(jù)我們對(duì)大陸地區(qū) 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目的統(tǒng)計(jì)，從 2016 年下半年到 2018 年 5 月，在建晶圓廠項(xiàng)目總投資額約 7620 億元。70%的設(shè)備投資中，假設(shè)晶圓加工設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備分別占比 81%、7%、8%，則每個(gè)環(huán)節(jié)設(shè)備對(duì)應(yīng)的總投資空間分別為 4320 億元、370 億元、430 億元。在晶圓加工設(shè)備中，我們假設(shè)光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備以及鍍膜設(shè)備分別占比 20%、15%、15%，則其對(duì)應(yīng)的年均投資空間分別為 430 億元、325 億元、325 億元。

表：2018-2019 年半導(dǎo)體設(shè)備投資空間分項(xiàng)測算

工藝環(huán)節(jié)	設(shè)備類型	2018-2019 年累計(jì)投資空間（億元）	年均投資空間（億元）
硅片生產(chǎn)	單晶爐	80	40
	磨片倒角設(shè)備	55	28
	CMP 拋光機(jī)	35	17
	其他設(shè)備	150	75
	合計(jì)	320	160
晶圓加工	光刻設(shè)備	860	430
	刻蝕設(shè)備	650	325
	鍍膜設(shè)備	650	325
	其他設(shè)備	2160	1080
	合計(jì)	4320	2160
封裝測試	封裝設(shè)備	370	185
	測試設(shè)備	430	215
	合計(jì)	800	400
合計(jì)	—	5440	2720

資料來源：光大證券研究所預(yù)測

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