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無錫奧曼特分析——2018中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況,大陸半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈逐步規(guī)?;?。
一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的兩次遷移
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起源地為美國,美國迄今仍在IDM 模式(從設(shè)計、制造、封裝測試以及投向消費(fèi)市場一條龍全包)及垂直分工模式中的半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計環(huán)節(jié)占據(jù)絕對主導(dǎo)地位,而存儲器、晶圓代工及封測等重資產(chǎn)、附加值相對低的環(huán)節(jié)陸續(xù)外遷。
由于半導(dǎo)體屬于技術(shù)及資本高度密集型行業(yè),只有下游終端需求換代等重大機(jī)遇來臨時,新興地區(qū)通過技術(shù)引進(jìn)、勞動力成本優(yōu)勢才有機(jī)會實現(xiàn)超越,推動產(chǎn)業(yè)鏈遷移。
第一次半導(dǎo)體遷移:發(fā)生在大型計算機(jī)時代,存儲器制造環(huán)節(jié)由美國向日本轉(zhuǎn)移。日本憑借規(guī)?;a(chǎn)技術(shù)占據(jù)成本和可靠性優(yōu)勢,成為DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)主要供應(yīng)國。此次遷移對上游帶動作用明顯, 即便后期日本喪失存儲器優(yōu)勢,迄今仍在上游原材料、設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。
第二次半導(dǎo)體遷移:發(fā)生在PC 時代,PC 對DRAM 的訴求由可靠性轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛢r,韓國憑借勞動力優(yōu)勢取代日本的地位,至今仍主導(dǎo)存儲器市場。
與此同時,臺灣首創(chuàng)垂直分工模式,逐步形成IC(集成電路)設(shè)計、晶圓代工、封測聯(lián)動的產(chǎn)業(yè)集群。隨著全球移動產(chǎn)品盛行、迭代速度更快, 垂直分工模式以其更短的產(chǎn)品生命周期及更具競爭性的價格逐漸占據(jù)主導(dǎo)地位,長期引領(lǐng)全球圓晶代工、封測等環(huán)節(jié)。
二、大陸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地
當(dāng)前為IOT(Internet of Things 物聯(lián)網(wǎng)) 等下一輪終端需求換代醞釀期,為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起創(chuàng)造機(jī)遇,并提供技術(shù)積累的時間窗口。預(yù)計未來五年半導(dǎo)體市場仍將由智能手機(jī)硅含量增加主導(dǎo),汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域為高增長亮點(diǎn)。
在手機(jī)領(lǐng)域,國產(chǎn)手機(jī)終端品牌話語權(quán)不斷增大,持續(xù)推動大陸電子產(chǎn)業(yè)向高端零部件拓展,對最為核心的芯片產(chǎn)業(yè)的帶動作用正逐漸彰顯。而IOT、汽車電子等新興產(chǎn)品對制程要求不高,主要聚焦于成熟制程,大陸半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)廠商已具備相應(yīng)能力,并與國際廠商同步布局。
基于此,判斷大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在國家政策資金重點(diǎn)扶持下,通過技術(shù)積累、及早布局,具備能力把握潛在需求換代機(jī)遇,成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地。
1、國內(nèi)下游市場需求旺盛,IC 自給率提升空間大
中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場,半導(dǎo)體需求量全球占比由2000 年的7%攀升至2016 年的42%,成為全球半導(dǎo)體市場的增長引擎。然而,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與其龐大的市場需求并不匹配,IC 仍大程度依賴于進(jìn)口。2016 年本土芯片自給率僅為25%,且預(yù)計未來三年自給率仍不到30%,國產(chǎn)IC 自給率仍有相當(dāng)大的提升空間。
2010-2019E本土芯片供應(yīng)與需求量對比(單位:十億美元)
資料來源:公開資料《2018-2024年中國半導(dǎo)體光電器件行業(yè)競爭態(tài)勢及投資戰(zhàn)略研究報告》
2、政策資金已到位,資源加速集中促成長
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)屬高度技術(shù)及資金密集型產(chǎn)業(yè),需要國家層面在政策傾斜、資金補(bǔ)貼、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、人才獲取等多方位支持。為避免大陸IC 產(chǎn)業(yè)過度依賴進(jìn)口,中國政府已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略高度,并針對設(shè)計、制造、封測各環(huán)節(jié)制定明確計劃。
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金)首期募資規(guī)模達(dá)1387.2 億元人民幣,截至2017 年9 月已進(jìn)行55 余筆投資,承諾投資額已達(dá)1003 億元, 且二期募資正在醞釀中。同時由 “大基金”撬動的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(包括籌建中)達(dá) 5145 億元,合計基金規(guī)模達(dá)6531 億元人民幣,引導(dǎo)中國大陸半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)進(jìn)程加快,生產(chǎn)資源加速集中最終實現(xiàn)競爭力提升。
三、大陸半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈逐步規(guī)模化
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為核心產(chǎn)業(yè)鏈、支撐產(chǎn)業(yè)鏈。核心產(chǎn)業(yè)鏈包括半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、制造及封裝測試。支撐產(chǎn)業(yè)鏈則包括為設(shè)計環(huán)節(jié)服務(wù)的EDA(電子設(shè)計自動化)工具及IP 核供應(yīng)商、為制造封測環(huán)節(jié)服務(wù)的原材料及設(shè)備供應(yīng)商。
半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)鏈由歐美日本壟斷,大陸廠商與國際龍頭技術(shù)及規(guī)模差距甚大。EDA 工具環(huán)節(jié)由美國絕對主導(dǎo),IP 核由英美兩國主導(dǎo),大陸企業(yè)在此領(lǐng)域涉足甚少。原材料由日本主導(dǎo),大陸企業(yè)在靶材、拋光液個別領(lǐng)域已達(dá)國際水平,但在硅片、光罩、光刻膠等核心領(lǐng)域仍有較大差距。設(shè)備環(huán)節(jié)仍主要由歐美、日本壟斷,大陸企業(yè)在MOCVD 等個別細(xì)分領(lǐng)域有所突破。
大陸半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)正逐步規(guī)?;?,陸續(xù)誕生躋身全球前十的龍頭廠商。
半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)大陸龍頭與全球龍頭企業(yè)平均凈利率對比
中國IC設(shè)計市場規(guī)模及其占比(單位:十億美元)
四、率先突破微笑曲線底部封測,晶圓代工為下一機(jī)會所在
不同于傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)微笑曲線“產(chǎn)品設(shè)計—制造—銷售”,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中由IC 設(shè)計商同時負(fù)責(zé)IC 設(shè)計及營銷服務(wù),由晶圓代工廠負(fù)責(zé)晶圓工藝研發(fā)及制造,因此微笑曲線路徑為“IC 設(shè)計—晶圓代工—封測—IC 設(shè)計”。
IC 設(shè)計環(huán)節(jié)輕資產(chǎn),同時具備技術(shù)壁壘及渠道壁壘,附加值最高
晶圓代工環(huán)節(jié)重資產(chǎn),技術(shù)壁壘較高,附加值較高
封測環(huán)節(jié)重資產(chǎn),技術(shù)壁壘相對低,附加值相對低
經(jīng)測算,IC 設(shè)計、晶圓代工、封測環(huán)節(jié)全球前十大廠商平均ROE 水平與微笑曲線路徑基本吻合。微笑曲線底部封測環(huán)節(jié)ROE 最低為12%,曲線中部晶圓代工環(huán)節(jié)ROE 居中為15%,曲線頂部IC 設(shè)計環(huán)節(jié)ROE 最高達(dá)21%。
大陸已率先突破微笑曲線底部封測環(huán)節(jié),伴隨著封測業(yè)盈利質(zhì)量提升拐點(diǎn)來臨。判斷,大陸半導(dǎo)體崛起將沿著微笑曲線由底部向兩端發(fā)展,封測之后的下一突破口便是晶圓代工。IC 制造為當(dāng)前國家政策重點(diǎn)支持環(huán)節(jié), 在一期大基金承諾投資額占比高達(dá)63%。期待大陸晶圓代工企業(yè)在獲取資本支持后,加快縮小與國際領(lǐng)先者的技術(shù)差距,依托本土高速成長的IC 設(shè)計需求,盡快實現(xiàn)盈利質(zhì)量提升。
原文標(biāo)題:2018中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況分析(附2017-2018融資案例)
文章出處:【微信號:mfg2025,微信公眾號:智能制造】
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