來自臺(tái)灣的陳志泰博士為全球半導(dǎo)體材料帶來革命性突破，研究團(tuán)隊(duì)以獨(dú)特的磊晶技術(shù)，制造氮化鎵成長于碳化硅基板這項(xiàng)材料，缺陷比傳統(tǒng)方式減少100到1000倍、總磊晶層厚度薄20倍，可承受電壓可達(dá) 1500伏特以上，研究除了登上國際期刊Applied Physics Letters，他與瑞典教授共同創(chuàng)辦的半導(dǎo)體材料公司 SweGaN AB，今年被瑞典媒體評(píng)選為瑞典33大最具潛力新創(chuàng)公司。

傳統(tǒng)硅晶半導(dǎo)體因?yàn)榘l(fā)展局限面臨瓶頸，學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界不斷尋找下一代的半導(dǎo)體材料替代，陳志泰表示，團(tuán)隊(duì)突破傳統(tǒng)磊晶技術(shù)，尋找到溫度、壓力和化合物比例的特殊最佳配方，讓全世界看到新的可能性，將能用來制作高頻高功率電子元件，主要應(yīng)用于太空與國防等領(lǐng)域，更是未來電動(dòng)車和5G網(wǎng)路基地臺(tái)的關(guān)鍵性材料。

陳志泰指出，傳統(tǒng)磊晶技術(shù)因?yàn)楫愘|(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)的晶格不匹配，不同分子間大小差異造成錯(cuò)位，而使材料產(chǎn)生缺陷，傳統(tǒng)方式試圖加入了很多緩沖層來減少缺陷，因此厚度通常在2000奈米到6000奈米，但是厚度越厚，電阻越大，產(chǎn)生的熱就會(huì)越多，造成散熱較差，而且因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)缺陷密度高，電壓只能承載到650伏特。

陳志泰團(tuán)隊(duì)克服許多限制找到新的磊晶成長方式，他指出，團(tuán)隊(duì)研發(fā)出來的方法，可以有效抑制結(jié)構(gòu)缺陷發(fā)生，缺陷比傳統(tǒng)的少100到1000倍，幾乎完美的緩沖層，讓材料厚度只有不到300奈米，比傳統(tǒng)方式薄20倍，承載電壓可以達(dá)到1500伏特以上。

陳志泰說，在碳化硅和氮化鎵的合成材料中，他們是全球第一個(gè)能把材料做到這么薄，同時(shí)結(jié)合碳化硅和氮化鎵的優(yōu)勢(shì)，氮化鎵具有很高的電子遷移率，碳化硅則有很好的臨界電場(chǎng)且散熱好，合成的材料同時(shí)能承受高電流與高電壓，電壓可以涵蓋目前任何應(yīng)用，電流比第二代半導(dǎo)體砷化鎵高5倍以上。

研究磊晶技術(shù)已經(jīng)長達(dá)15年的陳志泰說，他原本在臺(tái)灣的臺(tái)大凝態(tài)中心與中央研究院原子與分子研究所，由陳貴賢博士與林麗瓊博士領(lǐng)導(dǎo)的實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行磊晶技術(shù)研究，因?yàn)榭粗腥鸬鋺?yīng)用面的研究，所以2009年到瑞典林雪平大學(xué)（Link?ping University） 深造，5年前與教授Erik Janzén和 Olof Kordina 一同創(chuàng)辦公司SweGaN AB。未來希望跟臺(tái)灣會(huì)有更密切的連結(jié)，一同與臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再往前突破。