國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI旗下產(chǎn)業(yè)研究與統(tǒng)計(jì)事業(yè)群所發(fā)表的2019年第一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告指出，2019全球晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將下滑14%至530億美元，但2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇27%達(dá)670億美元，并締造新高紀(jì)錄。受到Memory產(chǎn)業(yè)衰退影響，已連續(xù)三年成長(zhǎng)的晶圓廠設(shè)備支出榮景即將在2019年告一段落。

過(guò)去兩年間，占年度所有設(shè)備支出比重約為55%，2019年這個(gè)數(shù)字預(yù)期將下探45%，但2020年會(huì)再回升到55%。由于Memory占整體支出比重極高，Memory市場(chǎng)任何波動(dòng)都會(huì)影響整體設(shè)備支出。根據(jù)圖1顯示，2018年下半年起每半年市場(chǎng)都有所變動(dòng)，估計(jì)未來(lái)也是如此。

晶圓廠(前端)設(shè)備支出及變動(dòng)率

檢視每半年的晶圓廠設(shè)備支出趨勢(shì)圖后可以看出，由于2018下半年起Memory庫(kù)存的增加以及終端需求疲軟，導(dǎo)致2018下半年DRAM和NAND(3D NAND)相關(guān)支出開(kāi)始修正，進(jìn)而拖累Memory支出下滑14%。這股下滑趨勢(shì)將延續(xù)到2019年上半年，屆時(shí)Memory支出將下滑36%，但預(yù)計(jì)到下半年相關(guān)支出可望反彈35%。

盡管2019年下半市場(chǎng)可望咸魚(yú)翻身，報(bào)告認(rèn)為2019年全年Memory支出仍將較2018年下滑30%。

晶圓代工是晶圓廠設(shè)備支出的第二大項(xiàng)目，過(guò)去兩年間，每年占整體支出比重約在25~30%之間。 SEMI預(yù)期2019和2020年的比重將持穩(wěn)在30%左右。

雖然晶圓代工設(shè)備支出的波動(dòng)程度通常小于Memory部門(mén)，面對(duì)市場(chǎng)變化還是無(wú)法完全免役。舉例來(lái)說(shuō)，Memory部門(mén)開(kāi)始衰退之后，2018年下半晶圓代工設(shè)備支出也比上半年下滑13%。

SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告依每季與產(chǎn)品種類(lèi)區(qū)分，詳細(xì)列出1,300多處前段制程晶圓廠的晶圓廠設(shè)備支出、產(chǎn)能和技術(shù)制程。和2018年11月上一次公布的報(bào)告相比，本次內(nèi)容共新增23處設(shè)施/生產(chǎn)線相關(guān)數(shù)據(jù)。