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韓國團(tuán)隊新技術(shù)還能使半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模減3成

作者: 編輯: 來源: 發(fā)布日期: 2018.10.31
信息摘要:
芯科技消息,韓國研究團(tuán)隊開發(fā)出新的「斷電式減少燃?xì)狻⒒覊m裝置」技術(shù),若在半導(dǎo)體制程中采用,可針對制程前、后所產(chǎn)生的污染物質(zhì)進(jìn)行處理,有效的減…

芯科技消息,韓國研究團(tuán)隊開發(fā)出新的「斷電式減少燃?xì)?、灰塵裝置」技術(shù),若在半導(dǎo)體制程中采用,可針對制程前、后所產(chǎn)生的污染物質(zhì)進(jìn)行處理,有效的減少廢棄物質(zhì)與溫室氣體,同時預(yù)計能使半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模減少30%。

根據(jù)韓國財經(jīng)媒體《首爾經(jīng)濟(jì)》報導(dǎo),韓國機(jī)械研究院的院長樸天洪表示,環(huán)境系統(tǒng)研究本部中的金勇鎮(zhèn)博士研究組,開發(fā)出了可以用于處理半導(dǎo)體工程的燃?xì)?、灰塵裝置。

隨著大面積的顯示屏產(chǎn)量增加、制造半導(dǎo)體所需的晶圓直徑開始大型化,半導(dǎo)體工程中的快速洗凈工程等也隨之增加,這樣的影響會造成半導(dǎo)體制程廢氣量持續(xù)增加。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)制程中,經(jīng)過腐蝕、化學(xué)蒸鍍或離子注入等步驟,會產(chǎn)生多樣的有害物質(zhì),諸如SF6(六氟化硫)、CF4(四氟化碳)、NF3(三氟化氮)、HF(氟化氫)、氮氧化物以及懸浮微粒等,解決廢氣的必要性也開始提高。

一般來說,在制造設(shè)備或處理沉淀物等方面,通常會選擇催化劑還原(SCR)和濕式清除設(shè)備等方法來清除。

而研究組新開發(fā)的裝置則結(jié)合斷電酸化、濕式還原、濕式電氣集塵三種方式,不論是利用高溫清除、低溫處理廢棄氣體,還是不同的低溫狀態(tài)中,全部都可以在同一設(shè)備中處理。這項設(shè)備把排出的廢氣制成易溶性狀態(tài),再噴灑復(fù)合還原劑,最后排出的懸浮微粒氣體將通過自動清洗型電氣集塵裝置清除,提高了凈化效率。

金勇鎮(zhèn)表示,如果現(xiàn)有污染物質(zhì)去除裝備的設(shè)置面積和處理量成比例的話,新開發(fā)的裝置可通過氣流量和濃度,以及與外部的靜電注入量來對比做調(diào)節(jié)。

這項設(shè)備是采一體構(gòu)造、復(fù)合處理的方式,可大量地減少設(shè)備面積,加上濕式自動洗凈的電氣集塵裝置的低壓和高耐久性技術(shù),很適合生產(chǎn)線使用。研究組也認(rèn)為,如果實際應(yīng)用這項技術(shù),設(shè)備規(guī)模將比現(xiàn)有減少30%左右。

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