今天，三星宣布完成采極紫外光(EUV)技術(shù)的5nm制程開(kāi)發(fā)。此外，7nm產(chǎn)品將于4月正式出貨，目標(biāo)今年量產(chǎn)6nm產(chǎn)品!

 三星電子稱，其5nm FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過(guò)在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星稱再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星5nm制程較7nm面積縮小25%、耗電減少20%、性能提升10%。此外，5nm制程可使用7nm設(shè)計(jì)IP，有助7nm制程客戶減少5nm制程設(shè)計(jì)費(fèi)用。

稍早，臺(tái)積電領(lǐng)先三星宣布完成5nm制程開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)第2季進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電與三星誰(shuí)能搶先量產(chǎn)，成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)，三星全球晶圓代工市占率在2019年第1季已提升到19.1%，不過(guò)距離臺(tái)積電48.1%仍有相當(dāng)差距。

另外，三星公布了7nm與6nm晶圓代工出貨及量產(chǎn)時(shí)程。三星表示，2019年初開(kāi)始量產(chǎn)采EUV制程的7nm產(chǎn)品，預(yù)計(jì)4月出貨。6nm制程部分，正在與大型客戶進(jìn)行生產(chǎn)協(xié)議，已完成設(shè)計(jì)定案，預(yù)計(jì)2019年下半進(jìn)入量產(chǎn)。

剛剛，臺(tái)積電推出6nm技術(shù)服務(wù)！

今天，面對(duì)三星突然多出一個(gè)6nm技術(shù)，臺(tái)積電也不甘示弱。今天晚間，臺(tái)積電提交公告表示，推出6nm技術(shù)服務(wù)。臺(tái)積電6nm技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢(shì)，并且延續(xù)7nm技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺(tái)積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7nm技術(shù)增加18%!