半導(dǎo)體價(jià)格下跌趨緩的背景下，韓國(guó)銀行、國(guó)內(nèi)外市調(diào)機(jī)構(gòu)紛紛預(yù)測(cè)明年半導(dǎo)體景氣有望出現(xiàn)反彈。目前預(yù)測(cè)大多指出明年初半導(dǎo)體價(jià)格觸底后，年中將開始反彈，但是基于基數(shù)效應(yīng)（BaseEffect）所帶來的反彈，恢復(fù)水平仍與2016～ 2017年的榮景有所不同。

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)銀行13日公布的11月進(jìn)出口物價(jià)指數(shù)顯示，上個(gè)月半導(dǎo)體DRAM出口物價(jià)（以韓元為準(zhǔn)）比去年同期低49.5％。受半導(dǎo)體交易價(jià)格下降的影響，DRAM出口物價(jià)從今年1月到上個(gè)月為止，與去年同期相比已連續(xù) 11個(gè)月走跌。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的統(tǒng)計(jì)，DRAM（8Gb）的大量交易的固定價(jià)格從去年10月的7.3美元，一路下跌至今年11月的2.8美元。

隨著半導(dǎo)體價(jià)格下跌，韓國(guó)出口指標(biāo)也隨之惡化。以今年1～10月為準(zhǔn)，相較去年同期韓國(guó)出口減額少10.4％，韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)預(yù)期，今年總出口額將比比去年少600億美元左右，其中300億美元就是受半導(dǎo)體價(jià)格下跌影響。

隨著全球各地開始5G商用化，半導(dǎo)體需求將隨之增加，今年低迷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在明年慢慢恢復(fù)。半導(dǎo)體價(jià)格下降幅度也在下半年開始放緩，雖然7月份DRAM價(jià)格比前一個(gè)月下跌11.2％，但8、9月份的價(jià)格持平， 10、11月的下跌幅度僅為3.4％。NAND閃存價(jià)格（128Gb）均價(jià)為4.3美元，與上個(gè)月相同。加上能預(yù)測(cè)半導(dǎo)體景氣的半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)銷售額開始出現(xiàn)上升趨勢(shì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML第 3季銷售額比起去年同期高出7.6％，雖然前一季下跌6.3％，但第3季轉(zhuǎn)換了局面。

但各機(jī)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回溫速度預(yù)測(cè)不一。韓國(guó)銀行預(yù)測(cè)，從最近的存儲(chǔ)器單價(jià)變化、先行指標(biāo)來看，全球半導(dǎo)體與韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在明年中回溫。但野村證券研究中心則預(yù)期，閃存與DRAM的價(jià)格會(huì)在明年上半年反彈，但2021年才有望回到半導(dǎo)體榮景。LG經(jīng)濟(jì)研究院認(rèn)為，新產(chǎn)業(yè)投資萎縮，半導(dǎo)體恢復(fù)的時(shí)間可能會(huì)推遲。