下面由無錫奧曼特為大家普及一下半導體污染物雜質(zhì)的分類：

    半導體制備需要有一些有機物和無機物參與完成，另外，制作過程中總是在人的參與下在超凈間進行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。

（1）顆粒

顆粒主要是一些聚合物，光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等。通常的顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對顆粒的去除方法主要以物理或化學的方面對顆粒進行底切，逐漸減少顆粒與硅表面的接觸面積，最終將其去除。

（2）有機物

有機物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂，凈化室的空氣、機械油、硅樹脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對IC的制備過程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機薄膜阻止清洗液到達晶片表面，因此有機物的去除常常在清洗工序的第一步進行。

（3）金屬污染物

IC電路制造過程中采用金屬互連材料將各個獨立的器件連接起來，首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口，再利用蒸發(fā)、濺射或化學汽相沉積（CVD）形成金屬互連膜，如Al-Si、Cu等，通過蝕刻產(chǎn)生互連線，然后對沉積介質(zhì)層進行化學機械拋光（CMP）。這個過程對IC制程也是一個潛在的污染過程，在形成金屬互連的同時，也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應的措施去除金屬污染物。

（4）原生氧化物及化學氧化物

硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層，稱為原生氧化層。硅晶圓經(jīng)過SC-1和SC-2溶液清洗后，由于雙氧水的強氧化力，在晶圓表面上會生成一層化學氧化層。為了確保閘極氧化層的品質(zhì)，此表面氧化層必須在晶圓清洗過后加以去除。另外，在IC制程中采用化學汽相沉積法（CVD）沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相應的清洗過程中有選擇的去除。

    由上可以看出半導體污染物雜質(zhì)有四類，那么可以看出半導體污染物雜質(zhì)的清洗很重要，位于江蘇無錫碩放空港產(chǎn)業(yè)園無錫奧曼特科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)全自動半導體甩干機，聯(lián)系電話：15995260361  公司網(wǎng)址：ydro.com.cn