據(jù)媒體1月9日最新消息，日本化工巨頭昭和電工于1月8日宣布，將在中國上海計劃建設位于中國上海的第二工廠，用于增加半導體和顯示屏材料的產(chǎn)能。據(jù)悉，新工廠擬于2021年下半年投產(chǎn)，并將建設在上海昭和電子化學材料有限公司(以下簡稱“SSE”)的旁邊。按照昭和電工的計劃，上海第二工廠將會把高純度一氧化二氮年的生產(chǎn)能力提升至1000噸，高純度八氟環(huán)丁烷年生產(chǎn)能力600噸。

資料顯示，高純度一氧化二氮主要是半導體及顯示屏制造時的氧化膜的氧來源的特種氣體，高純度八氟環(huán)丁烷主要是這種氧化膜的微細加工(蝕刻)時的特種氣體。簡單地說，就是這兩種都是半導體生產(chǎn)過程中的重要原料。外界猜測，這家日企此番在華設下第二家新工廠，或許是在擔憂受到日本對于自家半導體出口限制帶來的影響。

2019年7月，日本宣布要對韓國實行半導體材料限制。在日本的這一舉動之下，韓國的半導體相關企業(yè)也隨之減少了與日本企業(yè)的經(jīng)濟往來，并且轉(zhuǎn)向中國進行半導體的相關合作。據(jù)報道，2019年12月12日當天，韓國電子巨頭三星宣布，將對其中國西安芯片工廠增加80億美元（約562億元人民幣）的投資，以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。

事實上，在多家國際半導體巨頭來華設下工廠的背后，是我國半導體產(chǎn)業(yè)不斷迎來新的突破。有分析指出，未來3-5年，是中國半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“彎道超車”邁向中高端的黃金期。據(jù)媒體1月9日最新消息，我國芯片制造商中芯國際今日宣布，14nm級芯片提前完成量產(chǎn)。

2019年12月，為加快關鍵核心技術的自主創(chuàng)新，打破西方大國的技術封鎖，我國宣布在山東臨淄經(jīng)濟開發(fā)區(qū)設立國內(nèi)首個第三代半導體材料項目，負責研發(fā)及生產(chǎn)，磁功能材料、芯片及智能制造核心部件的生產(chǎn)。據(jù)統(tǒng)計，截至 2018 年底，中國在建、已建和投產(chǎn)的12英寸集成電路制造線33條，8英寸的26條。