如果說(shuō)以硅為代表的第一代半導(dǎo)體是集成電路的基石，第二代半導(dǎo)體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話，那么第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國(guó)防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。

第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAS)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)，較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。

目前，很多公司已在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域看到商機(jī)，正緊鑼密鼓地布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。下面為近期的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目大事件：

項(xiàng)目一：氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究項(xiàng)目

10月18日，北大、清華等14家單位共同承擔(dān)的 “氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”項(xiàng)目正式啟動(dòng)，同時(shí)，該項(xiàng)目還是“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”研發(fā)計(jì)劃的一個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)。

項(xiàng)目二：中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項(xiàng)目

11月5日，中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項(xiàng)目開(kāi)業(yè)運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目總投資2.5億元，以研發(fā)、生產(chǎn)、銷售砷化鎵襯底材料為主，配套建筑面積約1.7萬(wàn)平方米，建設(shè)有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化鎵襯底材料大規(guī)模生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)砷化鎵單晶片折合4英寸200萬(wàn)片。

項(xiàng)目三：聚力成半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目

11月13日，聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司在重慶大足高新區(qū)舉行奠基儀式。該項(xiàng)目占地500畝，擬投資50億元人民幣，在大足打造集氮化鎵外延片制造、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計(jì)于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。

項(xiàng)目四：天岳碳化硅材料項(xiàng)目

11月13日，天岳碳化硅材料項(xiàng)目也在當(dāng)日開(kāi)工，總投資30億元，分為兩期建設(shè)，一期占地156畝，主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)13億元;二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽(yáng)光伏逆變器等，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)50～60億元，稅收可達(dá)5～7億元。

       近年來(lái)，隨著國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，三安光電、揚(yáng)杰科技、國(guó)民技術(shù)、海特高新等多家上市公司均已陸續(xù)開(kāi)始布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)?？梢韵胂螅诓痪玫膶?lái)，第三代半導(dǎo)體會(huì)成為下一個(gè)“關(guān)鍵詞”。