在推進DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。

10月21日，SK海力士宣布了開發(fā)基于第三代1Z納米（10nm）工藝的DDR4動態(tài)隨機存儲器（DRAM），稱將實現(xiàn)單一芯片標準內(nèi)世界最大容量的16GB，即在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量達到現(xiàn)存的DRAM中最大。

據(jù)悉，新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，達到DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度；同時在功耗方面，與上一代相同容量模組相比，降低了約40％；此外，與上一代1Y納米產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約27％，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

值得指出的是，第三代產(chǎn)品使用了上一代生產(chǎn)過程中未使用的新材料來增加電容，而隨著電容的增加，存儲數(shù)據(jù)的保留時間和一致性也會增加，因而穩(wěn)定性得以提升。

對于產(chǎn)品的商用，SK海力士表示將在年內(nèi)做好批量生產(chǎn)的準備，并于2020年開始全面供應，以積極響應市場需求。此外，它計劃將第三代1Z納米級微細工程技術(shù)擴展到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。