熱門關(guān)鍵詞: PECVD碳板自動上下料機 機械加工 鈑金加工 插片機 清洗機
一塊芯片的誕生需經(jīng)歷重重考驗,從設計到制造再到封裝測試,每一關(guān)都需用到大量的設備和材料。而在半導體加工的過程中,集成電路制造更是半導體產(chǎn)品加工工序最多,工藝最為密集的環(huán)節(jié),因此本文將以晶圓制造為例,說明前道過程中所需要的設備,并闡述其市場情況。
一、晶圓制造過程及應用設備
芯片需要經(jīng)過設計、制造(包括硅片制造以及晶圓制造)、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到,晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備,滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設備
設備中應用較為廣泛的有氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備等。
主要設備介紹及其國內(nèi)外制造企業(yè)
二、晶圓制造主要設備市場情況
根據(jù)2017年SEMI公布的數(shù)據(jù),在集成電路制程中,晶圓制造設備投入占比約占設備投資的80%,而封裝、測試設備投入則占比分別為9%和6%。在制造過程中,最主要、價值最昂貴的三類分別是沉積設備,包括PECVD,LPCVD等、刻蝕設備、光刻機,占半導體晶圓廠設備總投資的15%、15%、20-25%。
而這些設備因為被應用于制造,因此其精度和穩(wěn)定性也要求最高。而憑借技術(shù)資金等優(yōu)勢占據(jù)大份額的龍頭企業(yè)在這些領域尤為領先。
2017年全球營收前十大半導體設備公司
幾乎壟斷了高端光刻市場份額高達80%的ASML,在CVD設備和PVD設備領域都保持領先的美國應用材料(AMAT)以及刻蝕機設備領域龍頭Lam Research穩(wěn)坐前三。下面將就沉積、刻蝕、光刻這三大領域及代表公司進行詳解。
1. 沉積設備
沉積是半導體制程工藝中的一個非常重要的技術(shù),分為物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)。
PVD是英文Physical Vapor Deposition的縮寫,中文意思是“物理氣相沉積”,是指在真空條件下,用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。
PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類,真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應于PVD技術(shù)的三個分類,相應的真空鍍膜設備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。
CVD是英文Chemical Vapor Deposition的縮寫,中文意思為“化學氣相沉積”,是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù),其可用于沉積大范圍的絕緣材料、大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說,化學氣相沉積法時將兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi),然后他們相互之間發(fā)生化學反應,形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。
在集成電路制成中,經(jīng)常使用的CVD技術(shù)有:大氣壓化學氣相沉積(APCVD)、低氣壓化學氣相沉積(LPCVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)以及新型氣相外延生長技術(shù)金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)等。相應的設備也就有APCVD設備,LPCVD設備,PECVD設備以及MOCVD設備。
2. 刻蝕設備
刻蝕是采用物理或者化學的方法,通過掩膜圖形使薄膜材料選擇性銷蝕的技術(shù),是薄膜制備的“反”過程。
刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩類。濕法刻蝕是將硅片浸泡在可與被刻蝕薄膜進行反應的溶液中,用化學方法除去不要部分的薄膜。早期制造業(yè)以濕法為主。當半導體制造業(yè)進入微米、亞微米時代以后,要求刻蝕的線寬越來越細,傳統(tǒng)的濕法化學刻蝕因其固有的橫向鉆蝕,無法控制線寬,甚至造成斷裂,已不再適應科研及生產(chǎn)的要求,取而代之的是以等離子體技術(shù)為基礎的干法刻蝕方法。這種方法是將被加工的硅片置于等離子體中,在帶有腐蝕性、具有一定能量離子的轟擊下,反應生成氣態(tài)物質(zhì),去除被刻薄膜,此種方法具有各向異性。
干法刻蝕種類較多,常見的有等離子體刻蝕(分為圓筒型和平行電極型)、反應離子刻蝕、濺射刻蝕、離子束刻蝕、反應離子束刻蝕等。相應的設備就有等離子體刻蝕機、反應離子刻蝕機、離子束刻蝕機等。
3. 光刻機
光刻機是芯片制造的核心設備之一,按照用途可以分為好幾種:有用于生產(chǎn)芯片的光刻機;有用于封裝的光刻機;還有用于LED制造領域的投影光刻機。
在加工芯片的過程中,光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過畫著線路圖的掩模,經(jīng)物鏡補償各種光學誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,然后使用化學方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復雜的芯片,線路圖的層數(shù)越多,也需要更精密的曝光控制過程。
三、中國半導體制造設備企業(yè)
2016年中國半導體設備銷售收入總計57.33億元,同比增長21.5%,其中前十強單位完成銷售收入47.7億元,同比增長28.5%,也就是說,前十強的增速快于整體增速,市場集中度在不斷提高,可喜可賀。
2016全國半導體設備十強 數(shù)據(jù)來源:中國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會
目前,中國半導體設備已有了一定的基礎,雖然設備總量不大,但一直并保持著高速增長的態(tài)勢。但需要認清的是,目前我國的技術(shù)實力與國外相比仍存在較大的差距,尤其與市占率超80%的設備企業(yè)如ASML、應用材料等相比,實力偏弱且絕大部分設備廠商無法滿足國際已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)的制程,較難進入國際代工巨頭的產(chǎn)線。
當然,在落后的局面下,我國半導體設備也在奮起直追,并取得了一定成績,在國內(nèi)產(chǎn)線上已經(jīng)進行了一部分國產(chǎn)替代。半導體設備是我國發(fā)展半導體集成電路的基石,我們要把握好先行條件,率先推進,爭取早日完成進口替代。
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