近年來，在半導(dǎo)體工藝上，各大巨頭殺得興起，都卯足了勁前進(jìn)，Intel終于進(jìn)入了10nm工藝階段將向7nm工藝進(jìn)軍，臺(tái)積電和三星則從7nm轉(zhuǎn)向5nm、3nm工藝。

隨著5G的到來并深入發(fā)展，各大廠商對(duì)5G芯片的要求也越來越高，這也促使臺(tái)積電等公司不斷研發(fā)技術(shù)，打造更強(qiáng)大的芯片，微為各大科技廠商在未來的發(fā)展中奠定良好的基礎(chǔ)。

然而，日前臺(tái)積電宣布其已經(jīng)正式啟動(dòng)2nm芯片工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在臺(tái)灣新竹，2024年將投入量產(chǎn)。此前有消息稱，臺(tái)積電準(zhǔn)備了大約460億元資金用于新技術(shù)的研發(fā)。不得不說，臺(tái)積電真的是大手筆啊。在芯片制程領(lǐng)域，臺(tái)積電可以算是行業(yè)的巨頭，遙遙領(lǐng)先，如今臺(tái)積電率先向2nm工藝制程進(jìn)軍也能看出其在行業(yè)發(fā)展的野心，想要占領(lǐng)更多的市場(chǎng)份額。

近日，臺(tái)積電舉辦33周年慶典活動(dòng)時(shí)，其CEO周德音表示，2nm工藝芯片已經(jīng)進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃中，明年則量產(chǎn)5nm工藝。

需要注意的是，2nm工藝芯片是臺(tái)積電發(fā)展過程中的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，其將比3nm工藝更加先進(jìn)。據(jù)了解Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣，都是5x，但Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。至于目前2nm工藝芯片進(jìn)展如何目前還是未知的。

其實(shí)，臺(tái)積電能做出這樣的決定就已經(jīng)很讓人佩服了，因?yàn)槊恳患{米技術(shù)的研發(fā)都需要大量資金和多年的投入，不斷地去挑戰(zhàn)極限，而且芯片研發(fā)是一個(gè)很枯燥的過程，但是臺(tái)積電依然能夠堅(jiān)守住自己的職責(zé)，不斷研發(fā)，目前臺(tái)積電在全球芯片市場(chǎng)中幾乎拿下了一半的份額，還是很強(qiáng)的。如今，臺(tái)積電大手筆研發(fā)2nm工藝芯片，也是為了更好地穩(wěn)固自己的地位，讓自己更有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

中興事件發(fā)生后，全球各大企業(yè)都漸漸意識(shí)到芯片自主研發(fā)的重要性，而臺(tái)積電作為芯片行業(yè)中的寡頭企業(yè)，其在芯片自主研發(fā)這條道路上遙遙領(lǐng)先，可以為其他友商提供技術(shù)支持，獲得更多廠商的訂單，不斷提高自己地位。至于臺(tái)積電2nm工藝芯片，就讓我們拭目以待。