半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)之間的競爭不斷升級，行業(yè)第一、第二的臺積電和三星電子展開了“納米競爭”。

9月20日韓媒報道，臺積電會長公開表示正在開發(fā)2納米工藝。臺灣媒體分析因為三星電子的積極趕超，臺積電不得不加快了研發(fā)速度。臺積電在新竹科技園區(qū)新建2納米工廠，目標(biāo)2024年開始生產(chǎn)。臺積電5納米工藝目前已開始試生產(chǎn)，快的話明年上半年將采用5納米工藝進(jìn)行量產(chǎn)。

9月4日，三星電子發(fā)布了2021年3納米產(chǎn)品量產(chǎn)路線圖，將導(dǎo)入GAA(Gate-All-Around)工藝，采用新一代的晶體管架構(gòu)，Gate包圍在電流經(jīng)過的圓筒形溝道上，以實現(xiàn)更精密的電流控制。目前已將3納米GAE(Gate-All-Around Early)工藝設(shè)計Kit發(fā)送給了客戶。與7納米工藝相比，3納米工藝的芯片面積減少45%，耗電量減少50%的，性能提升35%。