熱門關(guān)鍵詞: PECVD碳板自動(dòng)上下料機(jī) 機(jī)械加工 鈑金加工 插片機(jī) 清洗機(jī)
下面由無錫奧曼特為大家普及一下半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)的分類:
半導(dǎo)體制備需要有一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成,另外,制作過程中總是在人的參與下在超凈間進(jìn)行,這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對(duì)硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況,大致可將污染物分為顆粒、有機(jī)物、金屬污染物及氧化物。
(1)顆粒
顆粒主要是一些聚合物,光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等。通常的顆粒粘附在硅表面,影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析,其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化,但主要是范德瓦爾斯吸引力,所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方面對(duì)顆粒進(jìn)行底切,逐漸減少顆粒與硅表面的接觸面積,最終將其去除。
(2)有機(jī)物
有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在,如人的皮膚油脂,凈化室的空氣、機(jī)械油、硅樹脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC的制備過程都有不同程度的影響,通常在晶片表面形成有機(jī)薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面,因此有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。
(3)金屬污染物
IC電路制造過程中采用金屬互連材料將各個(gè)獨(dú)立的器件連接起來,首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口,再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積(CVD)形成金屬互連膜,如Al-Si、Cu等,通過蝕刻產(chǎn)生互連線,然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。這個(gè)過程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過程,在形成金屬互連的同時(shí),也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。
(4)原生氧化物及化學(xué)氧化物
硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層,稱為原生氧化層。硅晶圓經(jīng)過SC-1和SC-2溶液清洗后,由于雙氧水的強(qiáng)氧化力,在晶圓表面上會(huì)生成一層化學(xué)氧化層。為了確保閘極氧化層的品質(zhì),此表面氧化層必須在晶圓清洗過后加以去除。另外,在IC制程中采用化學(xué)汽相沉積法(CVD)沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相應(yīng)的清洗過程中有選擇的去除。
由上可以看出半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)有四類,那么可以看出半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)的清洗很重要,位于江蘇無錫碩放空港產(chǎn)業(yè)園無錫奧曼特科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)全自動(dòng)半導(dǎo)體甩干機(jī),聯(lián)系電話:15995260361 公司網(wǎng)址:ydro.com.cn
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