需求拐點(diǎn)疊加進(jìn)口替代關(guān)鍵窗口期，本土設(shè)備龍頭初步具備國(guó)產(chǎn)化能力我們認(rèn)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求及訂單向上拐點(diǎn)或已到來(lái)，2020 年行業(yè)有望實(shí)現(xiàn)較快成長(zhǎng)，新增需求主要源自5G 商用推動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)及中國(guó)大陸整體晶圓、封測(cè)產(chǎn)能擴(kuò)大，其中刻蝕和薄膜沉積設(shè)備的需求受益程度較高。國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)隨著中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等技術(shù)成熟度上升而獲得更多驗(yàn)證試用平臺(tái)和進(jìn)口替代機(jī)會(huì)，但同時(shí)也正面臨研發(fā)、稅收、激勵(lì)機(jī)制等方面的瓶頸和壓力。目前本土設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈格局已初步形成，能夠進(jìn)入主流客戶(hù)供應(yīng)體系并契合未來(lái)工藝方向的優(yōu)勢(shì)企業(yè)主要包括：中微公司、北方華創(chuàng)、長(zhǎng)川科技、晶盛機(jī)電等。

5G 產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)及本土擴(kuò)產(chǎn)，2019 年Q4 或是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇拐點(diǎn)2019 年來(lái)受宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)承壓、下游需求減弱等影響，國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)均出現(xiàn)同比下滑。但我們認(rèn)為，下半年以來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，第四季度或是設(shè)備需求及訂單的向上拐點(diǎn)期：1）歷史上全球半導(dǎo)體及設(shè)備產(chǎn)業(yè)每一次市場(chǎng)低迷都隨技術(shù)創(chuàng)新到來(lái)而結(jié)束，受益于 5G、AI、IoT 產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)，全球、中國(guó)半導(dǎo)體單月銷(xiāo)售額已進(jìn)入環(huán)比回升通道，三星、臺(tái)積電、中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)外主流晶圓廠(chǎng)資本支出及北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商銷(xiāo)售情況也均已出現(xiàn)不同程度復(fù)蘇；2）中國(guó)芯片產(chǎn)能逆周期投資為設(shè)備需求提供了較強(qiáng)成長(zhǎng)韌性，中國(guó)設(shè)備市場(chǎng)的全球占比持續(xù)提升，2020 年或達(dá)全球之首。

內(nèi)資晶圓廠(chǎng)技術(shù)成熟度上升為國(guó)產(chǎn)設(shè)備提供驗(yàn)證試用平臺(tái)和進(jìn)口替代機(jī)會(huì)海外設(shè)備龍頭的技術(shù)發(fā)展歷程均離不開(kāi)與全球一流晶圓廠(chǎng)的合作開(kāi)發(fā)，技術(shù)協(xié)同和產(chǎn)品驗(yàn)證至關(guān)重要。目前中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等本土領(lǐng)軍企業(yè)正分別在邏輯電路芯片、3D NAND、DRAM 存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域布局先進(jìn)制程產(chǎn)能且技術(shù)逐步成熟，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備提供了驗(yàn)證試用平臺(tái)和進(jìn)口替代機(jī)會(huì)。受益于全球需求復(fù)蘇和中國(guó)國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，我們認(rèn)為 2019 下半年到 2020 上半年本土企業(yè)有望陸續(xù)開(kāi)始顯現(xiàn)回升態(tài)勢(shì)。國(guó)內(nèi)晶圓制造、測(cè)試設(shè)備代表企業(yè)的2019Q3 銷(xiāo)售額均開(kāi)始較快上升。

國(guó)內(nèi)設(shè)備產(chǎn)業(yè)體系形成，優(yōu)勢(shì)企業(yè)初步具備進(jìn)口替代能力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備逐漸呈現(xiàn)譜系化發(fā)展，我們認(rèn)為以下企業(yè)是具備較高技術(shù)水平的國(guó)產(chǎn)裝備龍頭。