半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危。

自1990年以來(lái)，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。

2016年，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam Research高出足足9.3個(gè)百分點(diǎn)，2017年，應(yīng)用材料公司的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)降至6.4個(gè)百分點(diǎn)，現(xiàn)在，截至2018年前三季度，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額僅僅領(lǐng)先排名第二的東京電子2個(gè)百分點(diǎn)。

值得注意的是，根據(jù)近三年的數(shù)據(jù)，應(yīng)用材料公司是前幾席中唯一一家市場(chǎng)份額持續(xù)降低的公司，相比之下，ASML和東京電子則是這個(gè)時(shí)期市場(chǎng)份額持續(xù)增加的兩家公司。

更多逆風(fēng)來(lái)襲

2016年，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為412億美金，2017年增長(zhǎng)至566美金，增長(zhǎng)幅度高達(dá)37.2%。2018年風(fēng)云突變，截至2018年前三季度，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收同比去年增長(zhǎng)了19.4%。假設(shè)2018年全年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收同比2017年增長(zhǎng)10%，那么，2018年第四季度的市場(chǎng)營(yíng)收應(yīng)為127億美元，比2017年第四季度同比下降15.2%。圖1給出了半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)在2015-2018年間各個(gè)季度的營(yíng)收變化。

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收的大部分增長(zhǎng)來(lái)自于韓國(guó)半導(dǎo)體制造商，特別是內(nèi)存公司三星電子和SK海力士。2017年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)錄得高達(dá)566億美元的營(yíng)收，韓國(guó)的貢獻(xiàn)率高達(dá)31.7%。2018年前三季度，韓國(guó)風(fēng)頭不減，貢獻(xiàn)率依然高達(dá)全球市場(chǎng)的29.4%。

相比今年早期，服務(wù)器、個(gè)人電腦和智能手機(jī)的市場(chǎng)需求明顯走低，內(nèi)存的價(jià)格也開(kāi)始逐步下滑。由于DRAM和NAND的平均銷售價(jià)格下滑，內(nèi)存公司有意放緩資本支出。三星電子明確表示，為了保持盈利能力，將實(shí)行戰(zhàn)略性的庫(kù)存控制，原本計(jì)劃在平澤工廠增加每月2萬(wàn)-3萬(wàn)片晶圓的DRAM產(chǎn)能將推遲到2020年。

三星電子原本計(jì)劃在2019年擴(kuò)大Pyeongtaek一號(hào)工廠的NAND產(chǎn)能，2020年擴(kuò)大西安二號(hào)工廠的NAND產(chǎn)能，如果NAND產(chǎn)品的利潤(rùn)率下降，三星有意推遲這些計(jì)劃。

所有半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商都對(duì)內(nèi)存公司青睞有加，尤其是應(yīng)用材料公司和Lam Research公司。在截至2018年10月份的最新一個(gè)財(cái)季中，應(yīng)用材料公司財(cái)報(bào)顯示，其收入的60%都來(lái)自于內(nèi)存公司。

由于iPhone銷售遜于預(yù)期，以及加密貨幣的崩潰，臺(tái)積電也減少了今年的資本支出。

除了EUV光刻機(jī)之外，應(yīng)用材料公司與表1列出的所有半導(dǎo)體設(shè)備公司都有競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。ASML是EUV（極紫外）光刻設(shè)備的獨(dú)家供應(yīng)商。隨著半導(dǎo)體行業(yè)逐漸轉(zhuǎn)向7nm工藝節(jié)點(diǎn)，EUV應(yīng)該會(huì)慢慢取代DUV沉浸式光刻技術(shù)。

EUV替代DUV沉浸式光刻設(shè)備將大大減少沉積、蝕刻和計(jì)量步驟。目前的DUV沉浸在30nm特征下處理器件還是可行的，在30nm之下，工程師為了擴(kuò)展DUV光刻工具的使用，加入了多重圖案化步驟。多重圖案化可以使用AMAT和LRCX（以及其它公司）的設(shè)備，它的特點(diǎn)是存在密集的沉積和蝕刻步驟，換句話說(shuō)，半導(dǎo)體制造商目前為了避免購(gòu)買極其昂貴的EUV光刻設(shè)備，正在使用需要使用大量沉積和蝕刻設(shè)備的多重圖案化工藝。

看一下圖2，在20nm節(jié)點(diǎn)時(shí)使用沉浸式DUV(ArF-1) ，需要13個(gè)掩膜層，每層的蝕刻都包含多個(gè)沉積、蝕刻步驟，如果繼續(xù)下探到10nm，掩膜層數(shù)量將增加到18層，沉積-蝕刻步驟也將增加50%。

7nm工藝節(jié)點(diǎn)上的多重圖案化更加驚人，如圖表左下角所示，需要的掩膜層多達(dá)27個(gè)。不過(guò)，如果在7nm時(shí)切換到EUV光刻技術(shù)上（圖右下角），僅僅需要14個(gè)掩膜層，和使用DUV沉浸式光刻在20nm節(jié)點(diǎn)時(shí)差不多。

從DUV切換到EUV，雙光刻、雙蝕刻（LELE）這些工藝步驟也將取消，而ArF-1（沉浸式DUV）將繼續(xù)用于自對(duì)準(zhǔn)圖案化（SADP）和自我對(duì)齊的四重模式（SAQP）工藝。最重要的是，EUV將消除掉一半處理步驟。